三星砸巨资巩固芯片工艺优势

2017-03-17 11:16:56来源:科技日报

    三星集团日前宣布将投资8.5万亿韩元(69.8亿美元)扩充现有10nm工艺产能,并为明年的7nm准备基础建设。其中2.5万亿韩元将投向位于Hwasung-si的17 Line工厂,预计今年二季度早些时候将额外增加1.8万片晶圆/月的10nm产能——现在10nm的产能是2.5万片晶圆/月。

    去年10月三星已宣布量产新一代10nm LPE工艺了,使用该工艺的处理器包括高通的骁龙835以及三星自家的Exynos 8895,但是10nm工艺的产能、良率目前依然存在问题,导致其使用骁龙835处理器的旗舰机或延期上市。本次投资被视为三星为解决这一问题而加大投资,扩充产能。

    目前三星生产移动处理器最先进的工艺是14nm FinFET,下一代则是10nm FinFET,也有LPE低功耗及LPP高性能之分,不过LPP工艺要等到今年下半年才会量产,首先量产的是10nm LPE工艺。根据三星所说,新工艺下的SoC性能可以提升27%,功耗将降低40%。

    FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25nm。未来预期可以进一步缩小至9nm,约是人类头发宽度的万分之一。由于在这种导体技术上的突破,未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。

    最早使用10nm工艺的处理器是高通骁龙835,这款处理器也将是2017年各大手机厂商新旗舰必备的硬件配置,但是因为10nm工艺的产能、良率问题困扰,骁龙835以及三星自家的Exynos 8895量产时间都比前代芯片晚一些。2月的MWC展会上,LG发布的G6手机就只能使用骁龙821处理器,等不及骁龙835了,索尼虽然抢先首发了骁龙835手机Xperia XZP,不过上市时间还没确定。

编辑:实习编辑姜佳梦责任编辑:徐婷
昆明信息港官方微信